| MEMS用高速シリコンエッチング装置 RIE-800iPB-KU 製造：サムコ(株) ボッシュプロセスを導入した MEMS用高速シリコンエッチング装置 (13.56MHz,400KHz RF電源搭載) |
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| プラズマ源 | ICP |
|---|---|
| 基板サイズ | Φ4"ウエハ，Φ6"ウエハ* （* JEIDA規格において一部制限あり） |
| 基板ステージ | 静電チャック 下部電極温度制御（-10〜40℃） 可動試料台（電極間距離変更可） He冷却機構 |
| 高周波電源 | ICP：3kW（13.56MHz） BIAS：500W（13.56MHz），500W（400kHz） |
| 排気系 | エッチング室：TMP（2000L/sec）+DRP |
| ガス導入系 | SF6 C4F8 O2 Ar CF4* （* クリーニング用） |
| 用途 | Si |
| エッチング性能（参考値） | エッチングレート：55um/min 選択比：200（PR），300（SiO2） |
| その他 | ボッシュプロセス プラズマ発光分光式エンドポイントモニタ ランピング機能 除電シーケンス 基板自動搬送機構 ロードロック室 |
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| 総合研究6号館 クリーンルーム1 |
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