京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点

B:ナノ材料加工・創製装置群

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B8 深堀りドライエッチング装置

MEMS用高速シリコンエッチング装置 RIE-800iPB-KU
製造:サムコ(株)


ボッシュプロセスを導入した
MEMS用高速シリコンエッチング装置
(13.56MHz,400KHz RF電源搭載)
RIE-800iPB-KU
装置仕様
プラズマ源 ICP
基板サイズ Φ4"ウエハ,Φ6"ウエハ*
(* JEIDA規格において一部制限あり)
基板ステージ 静電チャック
下部電極温度制御(-10〜40℃)
可動試料台(電極間距離変更可)
He冷却機構
高周波電源 ICP:3kW(13.56MHz)
BIAS:500W(13.56MHz),500W(400kHz)
排気系 エッチング室:TMP(2000L/sec)+DRP
ガス導入系 SF6 C4F8 O2 Ar CF4*
(* クリーニング用)
用途 Si
エッチング性能(参考値) エッチングレート:55um/min
選択比:200(PR),300(SiO2)
その他 ボッシュプロセス
プラズマ発光分光式エンドポイントモニタ
ランピング機能
除電シーケンス
基板自動搬送機構
ロードロック室

装置利用料金

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設置場所
総合研究6号館
クリーンルーム1

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