
MEMS用高速シリコンエッチング装置 RIE-800iPB-KU 製造:サムコ(株) ボッシュプロセスを導入した MEMS用高速シリコンエッチング装置 (13.56MHz,400KHz RF電源搭載) |
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プラズマ源 | ICP |
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基板サイズ | Φ4"ウエハ,Φ6"ウエハ* (* JEIDA規格において一部制限あり) |
基板ステージ | 静電チャック 下部電極温度制御(-10〜40℃) 可動試料台(電極間距離変更可) He冷却機構 |
高周波電源 | ICP:3kW(13.56MHz) BIAS:500W(13.56MHz),500W(400kHz) |
排気系 | エッチング室:TMP(2000L/sec)+DRP |
ガス導入系 | SF6 C4F8 O2 Ar CF4* (* クリーニング用) |
用途 | Si |
エッチング性能(参考値) | エッチングレート:55um/min 選択比:200(PR),300(SiO2) |
その他 | ボッシュプロセス プラズマ発光分光式エンドポイントモニタ ランピング機能 除電シーケンス 基板自動搬送機構 ロードロック室 |
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総合研究6号館 クリーンルーム1 |
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