A01高速高精度電子ビーム描画装置
Ultra-High Precision Electron Beam Lithography
装置仕様 | |
電子銃 | ZrO/W熱電界放射型 |
加速電圧 | 125kV,100kV,75kV,50kV,25kV |
最少電子ビーム径 | 1.7nm(於125kV) |
描画最小線幅 | 5nm(於125kV) |
ビーム電流強度 | 5pA~120nA |
描画フィールドサイズ | 最大2,400μm×2,400μm(於25kV) 1,200μm×1,200μm(於75,50,25kV) 500μm×500μm(於125kV,100kV) 最小100μm×100μm |
ビームポジション | 最大1,000,000×1,000,000(20bit DAC) |
ビーム位置決め分解能 | 0.078nm |
最大試料サイズ | 8インチΦウェハー又は8インチ□マスク |
設置場所 |
総合研究6号館 イエロールーム |
装置利用料金 |
こちらをご覧ください。 |