A10レジスト現像装置
Photoresist Developer
装置仕様 | |
基板サイズ | Wafer Φ2"~Φ6"、不定形 可 Mask □2.5",□5" |
制御方式 | シーケンサコントロール 20レシピ30ステップ(回転数、処理時間、スイング速度 etc) |
機能 | スイングアーム×1(パドル or スプレー) リンスノズル(表面、裏面) スピン乾燥(MAX 2000rpm) |
設置場所 |
総合研究6号館 イエロールーム |
装置利用料金 |
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