A15大面積超高速電子線描画装置
Large Area and Ultra-High Speed Electron Beam Lithography
装置仕様 | |
解像度 | 1Xnm |
制御方式 | ウエハ(Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"およびΦ8") ガラス基板(4009、5009) 小片基板10mm〜30mm(厚み限定) |
露光対象基板 | CP露光方式・VSB露光方式 |
設置場所 |
総合研究10号館 加工評価室(クリーンルーム) |
装置利用料金 |
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