B02多元スパッタ装置(仕様B)
RF Magnetron Multi-Sputter Type-B
装置仕様 | |
装置構造 | 平行平板(スパッタアップ) |
カソード | 非磁性体Φ4"PMC x 3基 |
基板トレイ | Φ4"Siウエハ(JEIDA,SEMI) x 3枚用 Φ6"Siウエハ(JEIDA,SEMI) x 1枚用 |
基板ホルダ | 加熱機構:800℃(ランプ加熱型) 回転機構:MAX60rpm T/S距離:100~200mm |
RF電源 | 1,000kW x 3基(同時スパッタ可) |
ガス供給 | Ar、O2 |
使用ターゲット材 | 【要相談】 |
その他 | 逆スパッタ可 ロードロック室装備 |
設置場所 |
総合研究10号館 加工・評価室 |
装置利用料金 |
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