B05プラズマCVD
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System
装置仕様 | |
基板 | MaxΦ8インチ、不定形に対応 |
平行平板型プラズマ発生装置 | (上部RF電源:500W(13.56MHzHz)、 下部RF電源:500W(380kHz)) |
プロセスガス | Ar O2 C4F8 N2 NH3 H2 |
液体材料 | TEOS TSA |
成膜温度 | 150〜350℃ |
設置場所 |
総合研究6号館 クリーンルーム1 |
装置利用料金 |
こちらをご覧ください。 |