ナノテクノロジー　プラットフォーム　微細加工プラットフォームコンソーシアム　実施機関

併用装置・検索

この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学　ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学　微細構造解析プラットフォーム
・京都大学　医学研究科 医学研究支援センター

装置一覧

B:ナノ材料加工・創生装置群

B10ドライエッチング装置
Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher

  • リアクティブイオンエッチング装置
  • RIE-10NR-KF
  • 製造：サムコ(株)
  • 汎用性ドライエッチング装置
ドライエッチング装置<br>Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher
装置仕様
電極構造 セミ無遮蔽型平行平板電極（電極間：55mm）
基板サイズ MAX Φ8"ウエハ x 1枚
基板ステージ 下部電極温度制御（水冷）
高周波電源 600W*（13.56MHz）
（* 通常300W)
排気系 TMP（200L/sec）+RP
ガス導入系 CF4、CHF3、O2、Ar
用途 SiO2、Si3N4、アッシング　ほか
設置場所
総合研究6号館
クリーンルーム2
装置利用料金
こちらをご覧ください。