この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学 ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学 微細構造解析プラットフォーム
・京都大学 医学研究科 医学研究支援センター
B13
シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
Vapor XeF 2 Release Etcher
シリコン犠牲層ドライエッチング装置
Xetch X3B
製造:XACTIX社
フッ化キセノン(XeF2)により、Siを常圧、非プラズマ条件下でドライエッチングすることができます。
SiO2やSi3N4AIなどに対して、全くエッチング作用がないため、高選択比エッチングが可能。
機能
基板
最大Φ6インチに対応
設置場所
総合研究6号館
クリーンルーム2
装置利用料金
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