ナノテクノロジー　プラットフォーム　微細加工プラットフォームコンソーシアム　実施機関

併用装置・検索

この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学　ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学　微細構造解析プラットフォーム
・京都大学　医学研究科 医学研究支援センター

装置一覧

B:ナノ材料加工・創生装置群

B13シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
Vapor XeF 2 Release Etcher

  • シリコン犠牲層ドライエッチング装置
  • Xetch X3B
  • 製造：XACTIX社
  • フッ化キセノン（XeF2）により、Siを常圧、非プラズマ条件下でドライエッチングすることができます。
    SiO2やSi3N4AIなどに対して、全くエッチング作用がないため、高選択比エッチングが可能。
シリコン犠牲層ドライエッチングシステム<br>Vapor XeF 2 Release Etcher
機能
基板 最大Φ6インチに対応
設置場所
総合研究6号館
クリーンルーム2
装置利用料金
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