ナノテクノロジー　プラットフォーム　微細加工プラットフォームコンソーシアム　実施機関

併用装置・検索

この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学　ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学　微細構造解析プラットフォーム
・京都大学　医学研究科 医学研究支援センター

装置一覧

B:ナノ材料加工・創生装置群

B34深堀りドライエッチング装置
Reactive Ion Deep Silicon Etcher

  • MEMS用高速シリコンエッチング装置
  • RIE-800iPB-KU
  • 製造：サムコ(株)
  • ボッシュプロセスを導入した
MEMS用高速シリコンエッチング装置
(13.56MHz、400KHz電源搭載)
深堀りドライエッチング装置<br>Reactive Ion Deep Silicon Etcher
機能
プラズマ源 ICP
基板サイズ Φ4"ウエハ，Φ6"ウエハ*
（* JEIDA規格において一部制限あり）
基板ステージ 静電チャック
下部電極温度制御（-10～40℃）
可動試料台（電極間距離変更可）
He冷却機構
高周波電源 ICP：3kW（13.56MHz）
BIAS：500W（13.56MHz），500W（400kHz）
排気系 エッチング室：TMP（2000L/sec）+DRP
ガス導入系 SF6　C4F8　O2　Ar　CF4* 
（* クリーニング用）
用途 Si
エッチング性能（参考値） ボッシュプロセス
プラズマ発光分光式エンドポイントモニタ
ランピング機能
除電シーケンス
基板自動搬送機構
ロードロック室
設置場所
総合研究6号館
クリーンルーム1
装置利用料金
こちらをご覧ください。