ナノテクノロジー　プラットフォーム　微細加工プラットフォームコンソーシアム　実施機関

併用装置・検索

この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学　ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学　微細構造解析プラットフォーム
・京都大学　医学研究科 医学研究支援センター

装置一覧

B:ナノ材料加工・創生装置群

B36誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
Inductive Coupling Plasma Reactive Ion Etcher

  • 枚葉式複合モジュール型 成膜加工装置
  • uGmni-200E
  • 製造：（株）アルバック
  • 金属(Au,Ga,Pt,Ti他)、誘電膜(金属酸化物)、絶縁膜、Si系に対応したイオンエッチング装置
誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置<br>Inductive Coupling Plasma Reactive Ion Etcher
装置仕様
プラズマ源 誘導結合プラズマ（ICP）
最大基板サイズ Φ6インチウエハ（JEITA)
基板ステージ メカチャック
チラー温度制御（－１０～４０℃）
He冷却機構
高周波電源 アンテナ最大出力：１ｋW(13.56MHz)
バイアス最大出力：６００W(12.5MHz)
ガス導入系 Ar　O2　C4F8　CHF3　CF4　SF6　Cl2　BCl3
用途 金属(Au,Ga,Pt,Ti他)、誘電膜(金属酸化物)、絶縁膜、Si系
設置場所
総合研究6号館
クリーンルーム1
装置利用料金
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