B37赤外線ランプ加熱装置
Rapid Thermal Annealing Apparatus
装置仕様 | |
処理チャンバ雰囲気 | N2、Ar、4%H2-N2、減圧(ロータリーポンプ)、大気 |
基板サイズ | 最大6インチ、SiCコートカーボン製サセプタ:Φ165mm |
温度・保持時間 | 最高温度1,100℃ 800℃保持は30分以下 1,000℃保持は10分以下 1,100℃は保持時間なし(到達後すぐに降温) |
昇温速度 | 10℃/秒以下(サセプタ保護) |
用途 | プログラム操作で、昇温、保持、降温を制御 |
設置場所 |
総合研究10号館 加工・評価室 |
装置利用料金 |
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