ナノテクノロジー　プラットフォーム　微細加工プラットフォームコンソーシアム　実施機関

併用装置・検索

この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学　ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学　微細構造解析プラットフォーム
・京都大学　医学研究科 医学研究支援センター

装置一覧

B:ナノ材料加工・創生装置群

B54ウエハ接合装置
Surface Activated Wafer Bonder

  • WAP-100
  • 製造：ボンドテック(株)
  • 特殊仕様につき、アライメント接合不可。
    プラズマ活性4インチウェハ対応。
ウエハ接合装置<br>Surface Activated Wafer Bonder
装置仕様
ワーク寸法 チップ寸法 □3mm～□30mm　厚み0.5～15mm 
ウエハー寸法　４インチ　厚み0.2～5mm 
ガラスセル □10mm～□30mm立方体
アライメント精度 設定分解能　±２μｍ　（手動マイクロメータ）
チャンバー外からの赤外透過認識機能
加圧機能 Max.200N
加熱機能 ウエハヒータ　上下　60～450℃
チップヒータ　上部　60～600℃
対応接合方式 シーケンシャルプラズマ、ハイブリッドボンディング、
陽極接合
設置場所
桂クリーンルーム
装置利用料金
こちらをご覧ください。