B59深堀りドライエッチング装置
Reactive Ion Deep Silicon Etcher
機能 | |
プラズマ源 | ICP |
基板サイズ | Φ4"ウエハ,Φ6"ウエハ* (* JEIDA規格において一部制限あり) |
基板ステージ | 静電チャック 下部電極温度制御(-10~40℃) 可動試料台(電極間距離変更可) He冷却機構 |
高周波電源 | ICP:3kW(13.56MHz) BIAS:500W(13.56MHz),500W(400kHz) |
排気系 | エッチング室:TMP(2000L/sec)+DRP |
ガス導入系 | SF6 C4F8 O2 Ar CF4* (* クリーニング用) |
用途 | Si |
エッチング性能(参考値) | ボッシュプロセス プラズマ発光分光式エンドポイントモニタ ランピング機能 除電シーケンス 基板自動搬送機構 ロードロック室 |
設置場所 |
桂クリーンルーム |
装置利用料金 |
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