C063D測定レーザー顕微鏡
3D Measuring Laser Microscope
装置仕様 | |
光源 | 405 nm半導体レーザー |
検出系 | 光電子増倍管 |
平面測定精度 | 繰り返し性:3σn-1=0.02um(100X) 正確さ:測定値の±2% |
高さ測定精度 | 繰り返し性:σn-1=0.012um(50X) 正確さ:0.2+L/100μm以下(L=測定長μm |
高さ移動分解能 | 10 nm |
駆動長さ | 100x100x100 mm3 |
観察方法 | 明視野/微分干渉/レーザー/レーザー微分干渉 |
設置場所 |
総合研究10号館 加工・評価室 |
装置利用料金 |
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