ナノテクノロジー プラットフォーム 微細加工プラットフォームコンソーシアム 実施機関

併用装置・検索

この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学 ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学 微細構造解析プラットフォーム
・京都大学 医学研究科 医学研究支援センター

装置一覧

C:ナノ材料分析・評価装置群

C19パワーデバイスアナライザ+(C17プローバ)
Power Device Analyzer & Curve Tracer

  • 半導体パラメータアナライザ
  • B1505A
  • 製造:アジレント・テクノロジー(株)
  • 基本的にC17のプローバと組み合わせて使用する。(別のプローバ等を使用される場合は、要相談)
パワーデバイスアナライザ+(C17プローバ)<br>Power Device Analyzer & Curve Tracer
装置仕様
測定機能
ハイパワーSMU* 電流: 10 fAから1 Aまで、電圧: 2μVから200 VまでのIV測定
高電流SMU 電流: 10 pAから20 Aまで、電圧: 200 nVから40 VまでのIV測定
高電圧SMU サブpAレベルのリーク電流測定を3000Vの印加電圧で実行可能
マルチ周波数 容量測定ユニット 周波数範囲: 1 kHzから5 MHz 
3kVのDCバイアスでCV測定が可能
印加機能
高電圧SMU 1500 V/ 8 mAまたは3000 V / 4 mAの範囲で、
パルス(0.5 msec-2 sec)またはDCで印加可能。
高電流SMU 20 A/20 Vをパルス(0.05 msec-1 msec)で、
1 A/40 VをDCで印加可能。

*SMU: Source/Measure Unit 高精度に電圧/電流を供給すると同時に電圧/電流を測定するユニット。

設置場所
総合研究10号館
加工・評価室
装置利用料金
こちらをご覧ください。