C19パワーデバイスアナライザ+(C17プローバ)
Power Device Analyzer & Curve Tracer
| 装置仕様 | |
| 測定機能 | |
| ハイパワーSMU* | 電流: 10 fAから1 Aまで、電圧: 2μVから200 VまでのIV測定 |
| 高電流SMU | 電流: 10 pAから20 Aまで、電圧: 200 nVから40 VまでのIV測定 |
| 高電圧SMU | サブpAレベルのリーク電流測定を3000Vの印加電圧で実行可能 |
| マルチ周波数 容量測定ユニット | 周波数範囲: 1 kHzから5 MHz 3kVのDCバイアスでCV測定が可能 |
| 印加機能 | |
| 高電圧SMU | 1500 V/ 8 mAまたは3000 V / 4 mAの範囲で、 パルス(0.5 msec-2 sec)またはDCで印加可能。 |
| 高電流SMU | 20 A/20 Vをパルス(0.05 msec-1 msec)で、 1 A/40 VをDCで印加可能。 |
*SMU: Source/Measure Unit 高精度に電圧/電流を供給すると同時に電圧/電流を測定するユニット。
| 設置場所 |
| 総合研究10号館 加工・評価室 |
| 装置利用料金 |
| こちらをご覧ください。 |