ナノテクノロジー プラットフォーム 微細加工プラットフォームコンソーシアム 実施機関

併用装置・検索

この装置検索システムでは京大ナノハブ拠点所有の装置はもちろんのこと、
下記機関の供用装置も検索が可能です。(2019年4月1日現在)
・大阪大学 ナノテクノロジー設備併用拠点 微細加工ナノテクノロジープラットフォーム
・京都大学 微細構造解析プラットフォーム
・京都大学 医学研究科 医学研究支援センター

装置一覧

C:ナノ材料分析・評価装置群

C27RFプローブキット
RF Microwave Probe Kit

装置仕様
Electrical Characteristics
Characteristic impedance 50 Ω
Frequency range DC to 40 GHz
Return loss > 18 dB DC to 40 GHz**
Insertion loss < 0.8 dB DC to 40 GHz**
Maximum RF power 5 W at 40 GHz
Maximum DC current 1.5 A
Maximum DC voltage 100 V
Contact resistance on Au < 4 mΩ**
Mechanical Characteristics
Contacts Solid nickel springs
Insulator RF dielectric
Contact cycles on Al > 1,000,000
Contact spring pressure 6 N/mm
Available standard pitches*** 50 μm to 200 μm with 25 μm increments,
200 μm to 1250 μm with 50 μm increments
RF Connector
Type PC 2.92 mm, female
Coupling torque 0.8 Nm to 1.1 Nm (Recommended)
Outer contact Stainless steel
Center contact CuBe with Au plating
Insulator PEEK
Environmental Data
Temperature range -100 °C to 200 °C (Type K, standard), 10 K to 300 °C
(Type Y, extreme temperature)

*Data, design and specification depend on individual process conditions and can vary according to equipment configurations. Not all specifications may be valid simultaneously. 
**Typical for probes with pitches from 50 μm to 200 μm 
***1MX technology is available for pitches up to 500 μm.

設置場所
総合研究10号館
加工・評価室
装置利用料金
こちらをご覧ください。